गैलियम नाइट्राइड, एक कोर वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री के रूप में, पूरे 2026 में बिजली उपकरणों और आरएफ चिप्स के लिए तेजी से क्षमता विस्तार देखा गया है। मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स के विपरीत, GaN सब्सट्रेट 8.5-9.0 के बीच मोह कठोरता तक पहुंचते हैं, जिसमें स्थिर रासायनिक बंधन ऊर्जा होती है, जो पारंपरिक रासायनिक-यांत्रिक प्लानेराइजेशन प्रक्रियाओं में विशेष कठिनाइयां लाती है। सिलिकॉन के लिए सामान्य सामान्य प्रयोजन पॉलीयूरेथेन सीएमपी पैड GaN प्रसंस्करण आवश्यकताओं को पूरा नहीं कर सकते हैं, और सामग्री मिलान बड़े पैमाने पर उत्पादन उपज को प्रतिबंधित करने वाली मुख्य बाधाओं में से एक बन गया है।
वास्तविक फैब ऑपरेशन फीडबैक में, अनुचित रूप से मिलान किए गए पैड फॉर्मूले आसानी से दो विशिष्ट दोषों का कारण बनते हैं: अपर्याप्त सामग्री हटाने की दर जिसके कारण कम थ्रूपुट होता है, या अत्यधिक यांत्रिक घर्षण होता है जिससे GaN वेफर सतहों पर सूक्ष्म खरोंच और उपसतह क्षति होती है। एपिटैक्सियल-विकसित GaN-on-Si और GaN-on-SiC संरचनाओं के लिए, यहां तक कि छोटी सतह खरोंच भी बाद के उपकरणों के विद्युत प्रदर्शन को सीधे खराब कर देगी। उद्योग परीक्षण डेटा से पता चलता है कि योग्य GaN-समर्पित पॉलीयूरेथेन पैड को छिद्र संरचना, कठोरता और रासायनिक प्रतिरोध को एक साथ संतुलित करने की आवश्यकता होती है। लंबे समय तक निरंतर पॉलिशिंग के दौरान छिद्रों को बंद होने से बचाने के लिए, स्थिर घोल धारण और प्रभावी अवशेष निर्वहन का एहसास करने के लिए छिद्र आकार को आमतौर पर 25 μm-50 μm के भीतर नियंत्रित किया जाता है।
कई सेमीकंडक्टर उपभोज्य डेवलपर्स अब GaN परिदृश्यों के लिए थर्मोसेट पॉलीयुरेथेन के क्रॉस-लिंकिंग सिस्टम को समायोजित कर रहे हैं। कठोरता डिजाइन को एक अच्छा संतुलन बनाना चाहिए: अत्यधिक कठोर पैड खरोंच पैदा करते हैं, जबकि अत्यधिक नरम पैड पूरे वेफर में वैश्विक प्लानरीकरण क्षमता का त्याग करते हैं। कठोर शीर्ष पॉलिशिंग परत और अनुरूप उप-पैड के संयोजन वाली बहु-परत मिश्रित संरचनाएं धीरे-धीरे GaN CMP प्रसंस्करण के लिए मुख्यधारा समाधान बन गई हैं।
उच्च-प्रदर्शन पॉलीयुरेथेन सामग्री विकास में हमारे संचित अनुभव से आकर्षित होकर, हम GaN पॉलिशिंग विशेषताओं को लक्षित करने वाले बेस पॉलिमर फॉर्मूलेशन और माइक्रो-फोमिंग मापदंडों को अनुकूलित करते हैं। हमारा सामग्री समाधान स्थिर छिद्र स्थिरता, क्षारीय और अम्लीय सीएमपी घोल के लिए अच्छा प्रतिरोध और कम कण-शेडिंग प्रदर्शन पर केंद्रित है। यह स्वीकार्य निष्कासन दक्षता को बनाए रखते हुए परमाणु-स्तर की चिकनी GaN सतहों को प्राप्त करने के लिए फैब का समर्थन करता है, जिससे ग्राहकों को यौगिक-अर्धचालक बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए प्रक्रिया डिबगिंग चक्र को छोटा करने में मदद मिलती है।